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研磨/減薄
• 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等
• 均勻性：±2um
• 減薄厚度：≥100um
 
拋光
• 支持：Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，藍寶石，陶瓷等
• 表面粗糙度：1-50nm

激光切割
• 支持：Si基MEMS產品　
• 樣品厚度：100-700μm 　
• 切割寬度：≤10μm
• 樣品尺寸：8寸（向下兼容）

刀片晶圓切割　
• 支持：Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，電路板（8英寸卡盤，不同材料選用不同刀片）　
• 切割道寬度：≥50um

挑粒
• 處理尺寸：6、8寸原材料，可挑取最小150um的芯片
• 選件：提供背面、邊緣檢查選件，芯片翻轉選件
• UPH：700~1200，取決于產品